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世界半导体巨头将在大容量闪存开发上展开激烈竞争

2006-09-13 21:33:25　阅读: 来源:新华社

    随着半导体电路工艺的不断提高，芯片尺寸越来越小。最近，韩国三星电子采用布线宽度为４０ｎｍ的微细加工技术，成功地开发出了存储容量为３２Ｇ的产品。此举将引发业界在大容量闪存开发上的激烈竞争。
    据《日本经济新闻》报道，由于数码相机和便携音乐播放器专用的闪存需求急剧扩大，韩国三星电子最近开发出了存储容量为３２Ｇ的全球最大ＮＡＮＤ型闪存，并将在２００８年开始批量生产这种新型闪存。
    同时，排名全球第二的东芝－美国晟碟（ＳａｎＤｉｓｋ）联盟也准备投产这种大容量闪存，东芝与三星间的竞争将进一步加剧。

责任编辑:崔毅

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